IPB022N12NM6 mosfet equivalent, mosfet.
*N-channel,normallevel
*Verylowon-resistanceRDS(on)
*ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)
*Verylowreverserecoverycharge(Qrr)
*.
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS
120
V
RDS(on),max
2.2
mΩ
ID
167
A
Qoss
26.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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