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Eupec GmbH
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T1503N Datasheet Preview

T1503N Datasheet

T1503N75 - 80 TOH

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( DataSheet : www.DataSheet4U.com )
Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
N
Features:
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedrige Wärme-
widerstände durch NTV-Verbindung
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Full blocking capability at 120°C with 50 Hz
High surge currents and low thermal resistance
by using low temperature-connection NTV
between silicon wafer and molybdenum.
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, repetitive
Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch
critical rate of rise of on-state current, non-repetitive
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of forward voltage
f = 50 Hz
VRRM
ITRMSM
Tvj min = -40°C Tvj min = 0°C
7500
7700 V
8000
8200 V
3800 A
TC = 85°C, f = 50Hz
TC = 60°C, f = 50Hz
ITAVM
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
ITSM
I2t
DIN IEC 747-6
VD VBO, f = 50Hz,
PL = 40mW, trise = 0,5µs
DIN IEC 747-6
VD VBO, PL = 40mW, trise = 0,5µs
Tvj = Tvj max, vDM = 5kV
(di/dt)cr
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
1760 A
2440 A
45 kA
40 kA
10,1·106 A2s
8,0·106 A2s
300 A/µs
1000 A/µs
2000 V/µs
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
www.DataSheet4U.com
Release 3.2
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T1503N75 - 80 TOH

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Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 N 75...80 TOH
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzündspannung (statisch)
protective break over voltage
Tvj = 0°C ... Tvj max
VBO
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 4kA
VT
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Tvj = Tvj max
VTO
rT
Durchlaßrechenkennlinie
on-state characteristics for calculations
( )VT = A + B iT + C ln iT + 1 + D iT
500 A iT 5000 A
Tvj = Tvj max
A
B
C
D
erforderliche Zündlichtleistung
required gate trigger light power
Tvj = 25°C, vD = 100V
PLM
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C
IH
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 100V,
PL = 40mW, tan = 0,5µs
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = Tvj max
vD = vR = 7500V
iD, iR
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, vD = 1000V,
PL = 40mW, tan = 0,5µs
tgd
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67vDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
tq
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
min. 7500
V
typ.
2,8
typ.
1,20
0,40
typ.
0,616
0,000219
0,0342
0,0161
max.
3,0
max.
1,24
0,44
max.
-0,0864
0,000343
0,2021
0,000614
V
V
m
min. 40
mW
350 mA
1A
500 mA
typ. 5
µs
typ. 550
µs
15 mAs
350 A
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller
Release 3.2
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Part Number T1503N
Description T1503N75 - 80 TOH
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