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Eupec GmbH
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T1503NH Datasheet Preview

T1503NH Datasheet

T1503NH75 - 80 TOH

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Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 NH 75...80 TOH
N
Features:
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz
Hoher Stoßstrom mit hohem di/dt
und niedriger Wärmewiderstand durch
NTV Verbindung zwischen Silizium
und Mo-Trägerscheibe
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
Full blocking capability at 120°C with 50 Hz
High surge current with high di/dt and low
thermal resistance by using low temperature-
connection NTV between silicon wafer
and molybdenum
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, repetitive
Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch
critical rate of rise of on-state current, non-repetitive
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
f = 50 Hz
TC = 85°C, f = 50Hz
TC = 60°C, f = 50Hz
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
DIN IEC 747-6
VD VBO, f = 50Hz,
PL = 40mW, trise = 0,5µs
Tvj = 50°C, VD VBO, iT 10kA
PL = 40mW, trise = 0,5µs
Tvj = Tvj max, vDM = 5kV
VRRM
ITRMSM
Tvj min = -40°C Tvj min = 0°C
7500
7700 V
8000
8200 V
3800 A
ITAVM
ITSM
I2t
(di/dt)cr
1760 A
2440 A
45 kA
40 kA
10,1·106 A2s
8,0·106 A2s
300 A/µs
(di/dt)cr
(dv/dt)cr
5000 A/µs
2000 V/µs
BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller
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Release 2.2
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Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
with integrated overvoltage protection
T 1503 NH 75...80 TOH
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Schutzündspannung (statisch)
protective break over voltage
Tvj = 0°C ... Tvj max
VBO
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 4kA
vT
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
Tvj = Tvj max
VTO
rT
Durchlaßrechenkennlinie
on-state characteristics for calculations
( )VT = A + B iT + C ln iT + 1 + D iT
500 A iT 5000 A
Tvj = Tvj max
A
B
C
D
erforderliche Zündlichtleistung
required gate trigger light power
Tvj = 25°C, vD = 200V
PLM
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C
IH
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 200V,
PLM = 40mW, tan = 0,5µs
IL
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = Tvj max
vD = vR = 7500V
iD, iR
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, vD = 1000V,
PLM = 40mW, tan = 0,5µs
tgd
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67vDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
tq
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
min. 7500
V
typ.
2,8
typ.
1,20
0,40
typ.
0,616
0,000219
0,0342
0,0161
max.
3,0
max.
1,24
0,44
max.
-0,0864
0,000343
0,2021
0,000614
V
V
m
min. 40
mW
350 mA
1A
500 mA
typ. 5
µs
typ. 550
µs
15 mAs
350 A
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Technische Information / Technical Information
Lichtgezündeter Netz Thyristor
mit integriertem Überspannungsschutz
Phase Control Thyristor, light triggered
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T 1503 NH 75...80 TOH
N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
0,0063
0,0060
0,0106
0,0138
0,0015
0,003
+120
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
-40...+120 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzündung
Si-pellet with pressure contact, ligt triggered
Silizium Tablette
silicon wafer
Seite 4
101LTN80
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
F 63...91 kN
G typ. 3200 g
49 mm
C
50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller
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Part Number T1503NH
Description T1503NH75 - 80 TOH
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