SFH487 Datasheet (Siemens Semiconductor Group) - GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm

SFH487, GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, τ ≤ 10 µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max.

10 mm Thermal r

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 Area not flat 0.7 0.4 0.6 0.4 5.2 4.5 2.54 mm spacing 0.8 0.4 4.1 3.9 4.0 3.6 Approx.

weight 0.3 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409 Anwendungen q IR-Fernsteuerung

SFH487 Features

* q Fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Good spectral match to silicon photodetectors q Same package as SFH 309, SFH 409 Applications q IR remote control for hifi and TV sets, video und Videogeräten, Lichtdimmern q Lichtschranken bis 500