3DD3020A6 Datasheet (Huajing Microelectronics)

3DD3020A6, Silicon NPN Transistor

NPN ○R 3DD3020A6 1 ： 3DD3020A6 NPN ，，，， VCEO 、。：TO-126， RoHS 。 IC Ptot（TC=25℃） 2 ： TO-126 450 1.5 50 V A W 1 2 3 1.

B 2.

C 3.

E 3 ：、，。 C B VD E () （Pb）（Hg）（Cd）（Cr(VI)） (PBB) （PBDE） ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ×○○○○ ○ ○： SJ/T11363-2006 。 ×： SJ/T11363-2006 。（Pb）， RoHS 。 1 5 2010 4 ，Ta= 25℃ - - - Ta=25℃ Tc=25℃ VCBO VCEO VEBO I