BSC005N03LS5 mosfet equivalent, mosfet.
*Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V
*Optimizedchargesforfastswitching
*OptimizedQGD/QGSforinducedturnonruggedness
*Superiorthermal.
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS
30
V
RDS(on),max
0.55
mΩ
ID
433
A
Qoss
70.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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