NEL HA- Datasheet | Pinout, Features, Price Comparison & PDF

3.7A, 20V N 　N 　N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SMD 　　Features 　■20V, 3.7A, RDS(ON)=50mΩ @ VGS=4.5V 　■High dense cell design fo

LED constant current control chip RM9003B General Description ： RM9003B is a one_stage LED constant current driving control chip which Compatible wit

CHIPSET-IC.COM N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V D RDSON (MAX.) 20mΩ ID 12A G UIS,

MS23P01S P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The MS23P01S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate char

A09T http://www.osen.net.cn 30V N-CHANNEL MOSFET  Features：  Fast switching speed  High input impedance and low level drive  Improved dv/dt c

HAA2018 AB /D ，5.3W HAA2018FM、AB/D、、  AB、D 5.3W。EMI  D： FM。 －5.3W (VDD=5.0V, RL =2Ω，THD+N=10%) －3.2W (VDD=5.0V, RL =4Ω，THD+N=10%) HAA20

LTK5325 25.3WG   LTK5325 2 5.3W ，、、AB/D 。、 EMI， ，， ， ，。LTK5325  2.8V-5.5V  BOOST   （ALC）  D 、 EMI 2 ，  、 ，。  THD+N=10%，VB

ChipSourceTek LTK5328PBTL_28W  LTK5328 LTK5328 2 8W ， PBTL 、、AGC 、AB/D 、 、 EMI。PBTL ， ，。 ， ，， ，。 LTK5328 2 ALC ， ，。 AB/D ，AB FM 。 RF 。  L

® RT8249A/B/C Dual-Channel Synchronous DC/DC Step-Down Controller with 5V/3.3V LDOs General Description The RT8249A/B/C is a dual-channel step-down,

LTK5208 V1.3 LTK5208 27.9W F、   LTK5208 3Ω-7.9W、 F 。LTK5208 ， 7V。 LTK5208 ， D 、AB 、， IO ，， EN MODE , ，LTK5208 AB EMI 。 D 90%， D ，L

2.0-7.0V 1.8A H SA8301 。/ // SA8301， ， ，， 、 。 SA8301 ⚫ 2.0-7.0V ⚫ 1.8A,2.5A ⚫ (typ.0.1uA) ⚫ （typ.60uA） ⚫ ; ⚫ SOP8 ⚫ 2-4 ⚫ 2-4/ ⚫ 1 SA8301

AXS2030 5.2W AB/D AXS2030、5.2W  AB/D AB/D。EMIFM  D： 。 －5.2W (VDD=5.0V, RL =2Ω，THD+N=10%)  AB： AXS2030PSRR －5.2W (VDD=5.0V, RL =2Ω，THD

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification IRFZ44N FEATURES ·Drain Current –ID=49A@ TC=25℃ ·Drain Source Volta

HM2301B P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2301B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge

Silicon N-Channel Power MOSFET ○R CS150N03 A8 General Description： CS150N03 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced tr

Analog Power Freescale N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low rDS

AX2358 AX2358 ，， 2 ——6 ， 2 6 ， 6 ， I2C ，0 -79dB， 1dB ，，，， AV 。 z ：VCC=5.0～9.0V z 4 6 z 2 ——6 z ：0dB~-79dB， 1dB z 3.0Vrms(1KHZ,THD<1%) z ，

  







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