Huajing Microelectronics Datasheet | Pinout, Features, Price Comparison & PDF

Silicon FS Trench IGBT ○R BT40T60 ANFU General Description： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field Stop (FS) I

ഀ‫ݾ‬Ԩা CD7388CZ 4u41W ୺к࿛ູٟ৑ׂӖԨা 1ǃὖ ᴀ᭭⫼ೈ˖CD7388CZ CD7388 ᰃϔഫ⫼Ѣッ≑䷇ડⱘಯ BTL ߎⱘ AB ㉏ࡳ⥛ᬒ໻⬉DŽ ݊⡍⚍བϟ˖ Ɣ ࡳ⥛ߎ࡯˄᳔໻ 4u41W/4ȍ˗4u25W/4ȍ @ 14.4Vˈ1kHzˈ10%˅ Ɣ ༅

Silicon N-Channel Power MOSFET CS630 A4H ○R General Description： CS630 A4H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligne

Silicon N-Channel Power MOSFET ○R CS150N04 A8 General Description： CS150N04 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high d

N 2CZ10150 A9 ○R 2CZ10150 A9 ， 。 、 、。 ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（MAX） 150 2×5 0.90 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ （Per Di

Silicon N-Channel Power MOSFET CS13J65 A0-G ○R General Description： CS13J65 A0-G, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by the super j

Silicon N-Channel Power MOSFET CS830 A4RD ○R General Description： CS830 A4RD, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-alig

2CZ20100 A8S ， 。 、 、。 N 2CZ20100 A9S ○R ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（MAX） 100 2×10 0.85 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ （Per

10W 1. CV203CZ 10W 1.6 2. 2.1 ZIP5 CV203CZ B 3.5A 2.2 1 2 3 IN NF GND 4 OUT 5 VCC 14 0510 5807123-5542 14 0510 5803016 3. 3.1 DC 3.3 Tam

Silicon N-Channel Power MOSFET CS1N80 A1H ○R General Description： CS1N80 A1H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-alig

2CZ20S150 B9 ， 。 、 、。 N 2CZ20S150 B9 ○R ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（MAX） 150 2×10 0.90 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ （Per

N 2CZ10100 A8 ○R 2CZ10100 A8 ， 。 、 、。 ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（MAX） 100 10 0.85 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ ，Ta= 25

Silicon FS Planar IGBT BT15T120ANF ○R General Description： Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field stop) technology, the 120

CS7210S ○R LED 1 CS7210S LED ，85V~265V LED 。 CS7210S 500V MOSFET，， 。，， LED 。， LED，。 CS7210S ，200uA，， ，。CS7210S ， 。CS7210S ，LED /、 。

Silicon N-Channel Power MOSFET CS50N20 ANH ○R General Description： CS50N20 ANH, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-

CD1619CB 1、 CD1619CB 、、。 ： ● ：VCC=3V ，FM：ICCQ=5.3mA；AM：ICCQ=3.4mA（） ● FM/AM ● ：VCC=6V，RL=8Ω，PO=500mW（） ● AFC ● RF AGC、IF AGC ● LED ● ● ：S

2CZ1560 A9 ， 。 、 、。 N 2CZ1560 A9 ○R ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（MAX） 60 2×7.5 0.75 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ （Per Dio

N 2CZ20100 A4S ○R 2CZ20100 A4S ， 。 、 、。 ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（IF=10A） 100 2×10 0.85 TO-252 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％