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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM50GD120DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
TC = 80 °C TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom DC forward current
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
BSM50GD120DLC Datasheet
