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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM200GB120DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
TC = 80 °C TC = 25 °C
tP = 1 ms, TC = 80°C
vorläufige Daten preliminary data
VCES
IC,nom. IC
ICRM
1200 200 420 400
V A A A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Ptot 1,3 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom DC forward current
VGES IF
+/- 20V 200
V A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw.
BSM200GB120DLC Datasheet
