PPM6N20V10
FEATURES
- The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.
Absolute maximum rating@25℃
Rating
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current Total Power Dissipation
Continuous Pulsed TA=25℃ TA=125℃
TA=25℃ TA=70℃
Operating and Storage Junction Temperature Range
WWDϲEϮϬsϭϬ
DFN2- 2-6L PACKAGE
Bottom View
（D） （D） （G）
65 4 （D） （D） （S）
Internal structure
（D） 1 （D） 2 （G） 3
6 （D） 5 （D） 4 （S）
MECHANICAL DATA
- Case：Molded plastic,DFN2- 2-6L
- Polarity：Shown above
- Terminals :Plated terminals, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
- Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant
Symbol
VDS VGS ID ID PD PD TJ,TSTG
Value
-20 ±12 -10 -40 2.4 0.9 -55 to +150
Units
V V A A W W ℃
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Ambient Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1a) (Note 1b)
Symbol
RθJA RθJA RθJC
Max.
52 145...
