J310 Datasheet | Micross

FEATURES   DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J310  OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN   LOW HIGH FREQUENCY NOISE  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C1   Gpg = 11.5d B  NF = 2.7d B  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  - High Power Low Noise gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  - Dynamic Range greater than 100d B Maximum Power Dissipation  - Easily matched to 75Ω input Continuous Power Dissipation   350m W  J310 Applications: MAXIMUM CURRENT Gate Current  10m A  - UHV / VHF Amplifiers MAXIMUM VOLTAGES  - Mixers Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V  - Oscillators         J310 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNIT  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(F)  Gate to Source Forward Voltage  0.7  ‐‐  1  VDS = 0V, IG = 10m A  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐2  ‐‐  ‐6.5  VDS = 10V,  ID = 1n A  IDSS  Drain to Source Satura...