CRE6511D Datasheet Text
Semiconductor Inc.
- 特征 ¾ 原边控制模式 ¾ 内置高压 BJT 功率开关 ¾ 内置输出线损电压补偿 ¾ 较好的动态性能 ¾ 超低启动电流 ¾ 输出过压保护功能 ¾ 内置过温保护功能 ¾ 高杂讯抗干扰能力
- 应用 ¾ 充电器 ¾ 适配器
- 概述 CRE6511D 是高性能多模式的内置高压 BJT 功率开关的原边控制开关电源。该产品方便 用户以较少的外围元器件、较低的系统成本 设计出高性能的交直流转换开关电源。 CRE6511D 提供了极为全面和性能优异的智 能化保护功能，包括逐周期过流保护、软起 动、芯片过温保护、输出过压保护功能、VDD 欠压锁定保护功能、VDD 过压锁定保护功能、 功能。 CRE6511D 提供精确的恒定电压，恒定电流 （CV/CC），无需光耦合器和二次侧控制电路 调节。消除了环路补偿电路的需要，同时保 持了良好的稳定性。该芯片可以实现良好的
- 内部方框图 VDDH 1
CRE6511D
六级能效高性能 PWM 转换器
¾ 多模式 PWM/PFM 控制 ¾ 内置原边感量补偿 ¾ 高精度恒压输出 ¾ 高精度恒流输出 ¾ VDD 过压保护功能 ¾ 欠压锁定保护功能(UVLO) ¾ 无音频噪声 ¾ 内置前沿消隐
¾ 待机电源 ¾ 智能小家电
输出电压调节和较高的平均效率，待机空载 损耗可以小于 75mW. CRE6511D 另外具有电缆压降补偿功能，即 输出线损补偿。线损补偿量可以通过调节 FB 分压电阻阻值来调节。此外，芯片独特的 PWM/PFM 工作模式使得音频能量最小化，全负 载内无音频噪声。 CRE6511D 采用 SOP-7 封装，为需要超低待 机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供 了一个很好的设计平台，非常适合满足六级 能效 Level6 和欧洲节能标准 Eur2.0 的应 用。
C 5/6
Startup
5V LDO
FB 2 FB 3
Clock Generator
PWM CMP
OVP
Logic Controller
Base Drive
POWER BJT
OCP
Leading Protection Edge
Blanking
4 CS
制订：2017-12-20
版本：REV17-E10
7 GND
总5页 第1页
Semiconductor Inc.
- 管脚定义...