SFH483 Datasheet (Siemens Semiconductor Group) - GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter

SFH483, GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom, TC ≤ 25 °C Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0, TC = 25 °C Surge current Verlustleistung, TC = 25 °C Power dissipation Wärmewi

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø0.45 Chip position 1 0.9 .1 1.1 .9 0 ø5.5 ø5.2 2.7 1 2.54 mm spacing 14.5 12.5 3.6 3.0 ø4.3 ø4.1 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx.

weight 0.5 g GET06625 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode mit hohem Wirkungsgrad q Die Anode ist galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden q Hohe Impulsbelastbarkeit q Hoh

SFH483 Features

* Highly efficient GaAlAs LED Anode is electrically connected to the case High pulse power High reliability DIN humidity category in acc. with DIN 40040 GQG q Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 q q q q q Applications q IR remote controls and sound transmission q Photointerrupter Gehäuse