SFH325 Datasheet (Siemens Semiconductor Group) - NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package

SFH325, NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELEDa-Package

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand für Montage auf PC-B

SFH325 Features

* q Especially suitable for applications from q q q q Bereich von 380 nm bis 1150 nm (SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA) Hohe Linearität P-LCC-2 Gehäuse Gruppiert lieferbar nur für Reflow IR-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. q q q q 380 nm to 1150 nm (SFH 325) and o