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BPY62 - NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

Features

  • q Especially suitable for.

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Part Number Description Manufacturer
BPY62 Silicon NPN Phototransistor OSRAM

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Part Number Description
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BPY 62 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1130 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) 420 nm to 1130 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und with base connection suitable up to 125 °C q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BPY 62 BPY 62