KT863 Datasheet (SIT) - Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR

KT863, Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR

НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.

РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x) КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР ОСОБЕННОСТИ_________ Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный до 15 А.

Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм) Температура окружающей среды минус 60°С плюс 130°С