Part number:
F0118J
Manufacturer:
OSRAM
File Size:
58.94 KB
Description:
Gaas infrared emitting diode.
Datasheet Details
Part number:
F0118J
Manufacturer:
OSRAM
File Size:
58.94 KB
Description:
Gaas infrared emitting diode.
F0118J, GaAs Infrared Emitting Diode
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss Rückseite AuGe Eutektikum Infrared emitting die, top side anode connection Backside AuGe eutectic alloy 2002-02-21 1 F 0118J Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C) Electrical values (measured on TO18 header
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Typ.
Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse.
Chipgröße 300 x 300 µm2 GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenm
F0118J Features
* Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in Topled® package.
* Chip size 300 x 300 µm2
* Very highly efficient GaAlAs LED
* High reliability
* High pulse handling capability
* Good spectral match to silicon photodetectors
* Frontside metalliz
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