F0118J Datasheet (OSRAM) - GaAs Infrared Emitting Diode

F0118J, GaAs Infrared Emitting Diode

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluss Rückseite AuGe Eutektikum Infrared emitting die, top side anode connection Backside AuGe eutectic alloy 2002-02-21 1 F 0118J Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss, TA = 25 °C) Electrical values (measured on TO18 header

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge) GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, 12 mil) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Typ.

Gesamtleistung: 22 mW @ 100 mA im Topled® Gehäuse.

Chipgröße 300 x 300 µm2 GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Vorderseitenmetallisierung: Aluminium Rückseitenm

F0118J Features

* Typ. total radiant power: 22 mW @ 100 mA in Topled® package.

* Chip size 300 x 300 µm2

* Very highly efficient GaAlAs LED

* High reliability

* High pulse handling capability

* Good spectral match to silicon photodetectors

* Frontside metalliz