MGW21N60ED - Insulated Gate Bipolar Transistor

Features

• .050 REF 0.079 0.094 0.216 BSC 0.087 0.102 0.016 0.031 0.559 0.583 0.217 NOM 0.146 0.169 0.140 0.144 0.197 NOM 0.217 BSC 0.118 0.134 A K P.
• Y.
• V F D 0.25 (0.010) M H J G DIM A B C D E F G H J K L P Q R U V Y Q S GATE.