KT872B Datasheet - Integral

KT872B NPN Transistor

КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом). Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототипы BU508А, BU508, BU508D Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Обозначение технических условий

KT872B Datasheet (240.31 KB)