KT8159B Datasheet - Integral

KT8159B PNP Transistor

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототипы BDV64A-C Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментаpная паpа -.

KT8159B Datasheet (237.05 KB)