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FS150R12KT4_B11 - IGBT-Module

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TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS150R12KT4_B11 EconoPACK™3ModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK™3modulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andemittercontrolled4diode VorläufigeDaten IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom  150 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  300 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  750 W Gate-Emitter-Spitzenspannung
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