2T837E Datasheet (ETC)

2T837E, Transistor

2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры р-п-р переключательные.

Предназначены для при менения в усилителях и переключающих устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Изготовитель АООТ Воронежский завод полупроводни ковых приборов, г.

Воронеж.

2Т8371А-Е).

КТ837(А-Ф) I -1 ] Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при = 5 В, ^ = 2 А: Г