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TDM3660 Datasheet, Techcode

TDM3660 mosfet equivalent, n-channel enhancement mode mosfet.

TDM3660 Avg. rating / M : 1.0 rating-14

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TDM3660 Datasheet

Features and benefits


* RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=10V 
* High Power and current handling capability 
* Lead free product is available 
* Surface Moun.

Application

  GENERAL FEATURES 
* RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=10V 
* High Power and current handling.

Description

The  TDM3660  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES 
* RDS(ON) < 13mΩ @ VGS=4.5V   .

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TAGS

TDM3660
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Techcode

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