Datasheet Summary
GaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) GaAs Infrared Emitters (950 nm)
SFH 4510 SFH 4515
2.7 2.3
2.05 R 1.95
2.7 2.4
Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5
(3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4
GEO06968
14.7 13.1
2.54 mm spacing
-0 0.1
3.7 3.3
Cathode/ Collector
4.5 3.9 7.7 7.1
Chip position 8.0 7.4 15.5 14.7 4.5 3.9 2.05 R 1.95 (3.2) (R 2.8) (3.2) 6.0 5.4
GEO06969
4.8 4.4
SFH 4510
4.8 4.4 2.54 mm spacing
SFH 4515
4.5 3.9 7.7 7.1
Cathode/ Collector
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group
-0 0.15
2.7 2.4
1998-11-12
SFH 4510 SFH 4515
Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Für Oberflächenmontag...
