Q60215-Y111-S4 Datasheet | Siemens Semiconductor Group

BPY 11 P Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 11 P Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm q Kathode = Chipunterseite q Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen q Gruppiert lieferbar Anwendungen q für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke q zur Abtastung von Lichtimpulsen q quantitative Lichtmessung im sichtbaren Licht- und nahen Infrarotbereich Typ Type BPY 11 P IV BPY 11 P V Bestellnummer Ordering Code Q60215-Y111-S4 Q60215-Y111-S5 Features q Especially suitable for applications from 420 nm to 1060 nm q Cathode = back contact q Coated with a humidity-proof protective layer q Binned by spectral sensitivity Applications q For control and drive circuits q Light pulse scanning q Quantitative light measurements in the visible light and near infrared range Semiconductor Group 10.95 fso06032 BPY 11 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 1 Einheit Unit °C V Top; Tstg VR Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessungen der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0 Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Symbol Symbol Wert...