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BPX61 - Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Symbol Sym

Features

  • q Especially suitable for.

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Part Number Description Manufacturer
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BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ.