900,000+ datasheet pdf search and download

Datasheet4U offers most rated semiconductors data sheet pdf






SHINDENGEN

P90FG5R5SL Datasheet Preview

P90FG5R5SL Datasheet

Power MOSFET

No Preview Available !

Nch PowerMOSFET
P90FG5R5SL
■外観図 OUTLINE
PackageFG
Unit:mm
55V90A
特長
面実装タイプ
低オン抵抗
.5V駆動
低容量
Feature
SMD
LowRON
4.5VGateDrive
LowCapacitance
90FG5RSL
000 000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
55
±20
90
360
128
52
272
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=55V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=45A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=45A,VGS=10V
ID=45A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
熱抵抗
ThermalResistance
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
入力容量
InputCapacitance
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
出力容量
OutputCapacitance
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
上昇時間
Risetime
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
降下時間
Falltime
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
VTH ID=1mA,VDS=10V
VSD
θjc
IS=90A,VGS=0V
接合部・ケース間
Junctiontocase
Qg
Qgs VDD=44V,VGS=10V,ID=90A
Qgd
Ciss
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
Coss
td(on)
tr ID=45A,RL=0.61Ω,VDD=27.5V,Rg=0Ω,
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
tf
trr
Qrr
IF=90A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
55 ─ ─
V
──
1 μA
─ ─ ±0.1 μA
25 ─ ─
S
3.0
4.0
3.8
5.4
1.5 2.0 2.5
─ ─ 1.5
V
─ ─ 0.97 ℃/W
─ 106 ─
─ 19 ─ nC
─ 34 ─
─ 5130 ─
─ 320 ─ pF
─ 600 ─
─ 8─
─ 40 ─
─ 103 ─
ns
─ 67 ─
─ 47 ─ ns
─ 70 ─ nC
MOS-p2014.07〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




SHINDENGEN

P90FG5R5SL Datasheet Preview

P90FG5R5SL Datasheet

Power MOSFET

No Preview Available !

■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P90FG5R5SL
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
MOS-p2014.07〉)


Part Number P90FG5R5SL
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
PDF Download

P90FG5R5SL Datasheet PDF






Similar Datasheet

1 P90FG5R5SL Power MOSFET
SHINDENGEN





Part Number Start With

0    1    2    3    4    5    6    7    8    9    A    B    C    D    E    F    G    H    I    J    K    L    M    N    O    P    Q    R    S    T    U    V    W    X    Y    Z



Site map

Webmaste! click here

Contact us

Buy Components

Privacy Policy