Nch
P8F28HP2
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Package：FTO-220AG（3pin）
280V8A
特長
煙低オン抵抗
煙高速スイッチング
煙高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
煙LowRON
煙FastSwitching
煙HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
0000
8F28H2
Unit：mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流（ピーク）
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソース間ダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is＝8A,Tc＝25℃
Vdis 一括端子・ケース間，AC1分間印加
Terminalstocase,AC1min
TOR （推奨値：0.3N・m）
(Recommendedtorque:0.3N・m)
－55～150
150
280
±30
8
32
8
52.5
8
40
4
350
2
0.5
℃
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V（BR）DSS ID＝1mA,VGS＝0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS＝280V,VGS＝0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS＝±25V,VDS＝0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID＝4A,VDS＝10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance （DS）ON
ID＝4A,VGS＝10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID＝1mA,VDS＝10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS＝4A,VGS＝0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD＝200V,VGS＝10V,ID＝8A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td（on）
上昇時間
Risetime
tr ID＝4A,RL＝37.5Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td（off） VGS（＋）＝10V,VGS（－）＝0V
降下時間
Falltime
tf
280
─
─
2.9
─
3.00
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
5.8
0.38
3.75
─
─
9.8
400
7.2
71
14
30
36
24
─V
100 μA
±10 μA
─S
0.50 Ω
4.50
1.5
V
2.38 ℃/W
─ nC
─
─ pF
─
─
─
─
ns
─
（MOS-p〈2014.07〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
