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SHINDENGEN

P30B10EL Datasheet Preview

P30B10EL Datasheet

Power MOSFET

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Nch
P30B10EL
100V30A
特長
面実装タイプ
.5V駆動
低容量
Feature
SMD
4.5VGateDrive
LowCapacitance
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFB
P30B10EL
000000
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
全損失
TotalPowerDissipation
単発アバランシェ電流
SingleAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
PT
IAS
EAS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
StartingTch=25℃,Tch≦150℃
-55~150
150
100
±20
30
90
44
27
73
V
A
W
A
mJ
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
IDSS VDS=100V,VGS=0V
IGSS VGS=±20V,VDS=0V
gfs ID=15A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=15A,VGS=10V
ID=15A,VGS=4.5V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS=30A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg
ゲート・ソース電荷量
GatetoSourceCharge
Qgs VDD=80V,VGS=10V,ID=30A
ゲート・ドレイン電荷量
GatetoDrainCharge
Qgd
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=15A,RL=3.33Ω,VDD=50V,Rg=0Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
ダイオード逆回復時間
DiodeReverseRecoveryTime
ダイオード逆回復電荷量
DiodeReverseRecoveryCharge
trr
Qrr
IF=30A,VGS=0V,di/dt=100A/μs
100
12
1.5
24
24
27
2.0
37
7
12
2000
85
175
7
16
20
4
57
120
1
±0.1
30
36
2.5
1.5
2.84
V
μA
S
V
℃/W
nC
pF
ns
ns
nC
MOS-p2014.07〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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P30B10EL Datasheet Preview

P30B10EL Datasheet

Power MOSFET

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P30B10EL
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
MOS-p2014.07〉)


Part Number P30B10EL
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
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