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P1R5B40HP2 Datasheet Preview

P1R5B40HP2 Datasheet

Power MOSFET

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Nch PowerMOSFET
P1R5B40HP2
■外観図 OUTLINE
PackageFB
Unit:mm
400V1.5A
特長
面実装タイプ
低ノイズ
低容量
高アバランシェ耐量、高 di/dt耐量
Feature
SMD
LowNoise
LowCapacitance
HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
P1RB40H2
000000
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
GateSourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(ピーク)
ContinuousSourceCurrentDC
全損失
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
SingleAvalancheEnergy
繰り返しアバランシェエネルギー
RepetitiveAvalancheEnergy
ドレイン・ソースダイオード di/dt耐量
Drain-SourceDiodedi/dtStrength
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
IS
PT
IAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAS StartingTch=25℃,Tch≦150℃
EAR StartingTch=25℃,Tch≦150℃
di/dt Is=1.5A,Tc=25℃
-55~150
150
400
±30
1.5
6
1.5
35
1.5
15
1.5
350
V
A
W
A
mJ
mJ
A/μs
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc=25℃/unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=400V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS=±25V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=0.75A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RStaticDrain-SourceOn-stateResistance (DS)ON
ID=0.75A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThresholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwardVoltage
VSD
IS= 0.75A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc 接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VDD=320V,VGS=10V,ID=1.5A
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=0.75A,RL=200Ω,VDD=150V,Rg=50Ω,
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)=10V,VGS(-)=0V
降下時間
Falltime
tf
400
0.6
3.00
1.3
4.2
3.75
3.9
120
3.4
20
10
17
24
13
─V
100
±10 μA
─S
5.0 Ω
4.50
1.5
V
3.55 ℃/W
─ nC
─ pF
ns
MOS-p2014.03〉)
www.shindengen.co.jp/product/semi/




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P1R5B40HP2 Datasheet Preview

P1R5B40HP2 Datasheet

Power MOSFET

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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
P1R5B40HP2
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature Single Avalanche Current vs Inductive Load
www.shindengen.co.jp/product/semi/
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
MOS-p2014.03〉)


Part Number P1R5B40HP2
Description Power MOSFET
Maker SHINDENGEN
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