The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D（5、6、7、8） VDS(V) -30 MOSFET Product Summary RDS(on)(mΩ) ID(A) 20@ VGS=-10V 30@ VGS=-4.5V -8 G（4） S（1、2、3） Electrical characteristics per line@25℃( unless otherwi.

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