PPM6N12V10 datasheet, mosfet equivalent, Prisemi

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Description

The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. PPM6N12V10 P-Channel MOSFET VDS(V) -12 MOSFET Product Summary RDS(on)(mΩ) ID(A) 12 @ VGS=-4.5V -10 Internal structure （D）1 （D）2 （G）3 6（D） 5（D） 4（S） Bottom View .

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