ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ
２００Ａ，６００Ｖ
ＰＲＦＭＢ２００Ｅ６
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
1
(E2)
2
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
7(G2)
(C1) 6(E2)
3
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
123
2-Ø6.5
7
6
3-M5
23.0
23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
コレク
Ｃollector
コレク
Ｃollector
タ電流
Ｃurrent
タ損失
Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
ＶＩＳＯ
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｆｔｏｒ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
６００
±２０
２００
４００
７８０
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
３（３０.６）
２（２０.４）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V
－ － １.０ ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－ － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V
－
２.１ ２.６
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
10,000
－
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 300V
ＲＬ= 1.5Ω
ＲＧ= 3.6Ω
ＶＧＥ= ±15V
－ ０.１５ ０.３０
－
－
０.２５ ０.４０
０.１０ ０.３５
μｓ
－ ０.３５ ０.７０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
順電流
Ｆorward Ｃurrent
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＦ
ＩＦＭ
２００
４００
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順電圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＦ
ｔｒｒ
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 400A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱抵抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c)
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
日本インター株式会社
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
１.９
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
２.４
Ｖ
－ ０.１５ ０.２５ μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ.
０.１６
０.３８
Ｕｎｉｔ
℃／Ｗ
00
