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Mai Li Electronics

LM6863DL Datasheet Preview

LM6863DL Datasheet

NPN Low Voltage Switching Transistor

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深圳市力迈电子有限公司
LM6863DL
NPN低压开关晶体管/NPN Low Voltage Switching Transistor
●特点:■击穿的电压稳定■开关速度快■安全工作区宽■符合ROHS规范
●FEATURES:■LOW VOLTAGE CAPABILITY ■HIGH SPEED SWITCHING ■WIDE SOA ■ROHS COMPLIANT
●应用■节能灯■电子镇流器等开关电路
●APPLICATION:■FLUORESCENT LAMP ■ELECTRONIC BALLAST ECT.
●最大额定值(TC=25℃)
●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃)
参数名称
PARAMETER
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极
Emitter-Base Voltage
符号
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
额定值
VALUE
400
210
9
单位
UNIT
V
V
V
集电极电流
Collector Current
Ic 3 A
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
最高工作温度
Junction Temperature
PC 25 W
Tj 150
贮存温度
Storage Temperature
TsTg
-55-150
封装形式:TO-126 BCE
电特性(TC=25℃)
Electrical Characteristics(Tc=25℃)
参数名称
CHARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Collector-Base Voltage
符号
SYMBOL
ICBO
ICEO
VCEO
VEBO
集电极-发射极饱和压降
Collector-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
发射极-基极饱和压降
Base-Emitter Saturation Voltage
Vbesat
电流放大倍数
DC Current Gain
Hfe
测试条件
TEST CONDITION
VCB=400V
VCE=210V,IB=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
IC=1A,IB=0.2A
IC=3A,IB=1A
IC=2A,IB=0.4A
VCE=5V,IC=200uA
VCE=5V,IC=0.25A
VCE=5V,IC=3A
最小值
MIN
210
11
8
15
6
最大值
MAX
5
10
0.25
0.45
1.1
30
贮存时间
Storage Time
下降时间
falling time
ts
VCC=5V
1.5 3.0
IC=0.5A
tf (UI9600)
0.8
内置二极管正向压降
Diode Forward Voltage
Vf
IC=2.0A
1.3 1.8
注意事项:1、使用时不要外接续流保护二极管
2、基极驱动电流应较强,确保不出现基极驱动不足,但也不能太强,超过PNP管的控制范围。
单位
UNIT
uA
uA
V
V
V
V
V
us
V
深圳力迈电子有限公司
Tel: 0755-81457900
Fax: 0755-81457901
http://www.szlimai.net
Add: 深圳宝安区福永镇凤凰兴围第三工业区12




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LM6863DL
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Part Number LM6863DL
Description NPN Low Voltage Switching Transistor
Maker Mai Li Electronics
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