1D5N60Z Overview
深圳市晶导电子有限公司 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515 Http://.jdsemi.cn 1D5N60Z N 沟道 VDMOS 主要用途： 主要用于电源适配器、线性放大和功率开关电路 主要特点： 通态电阻小 , 输入电容小 开关速度快 100% 雪崩能量测试 注意： 防静电 极限值：( Tc=25 ℃ ) 参 数 名称 连续漏极电流 栅源电压 雪崩电流 热阻（结到壳） 耗散功率 结温 贮存温度 电特性： ( Tc=25 ℃ ) 符号 ID VGS I AR RθJC Ptot Tjm Tstg.