JCS10N60T
Key Features
- 5 6.0
- 5* A 6.0* A （ 1） Drain Current - pulse（note 1） IDM 40 40* A Gate-Source Voltage VGSS ±30 V （ 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 713 mJ （ 1） Avalanche Current（note 1） IAR
- 5 A （ 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） EAR
- 8 mJ （ 3） Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） dv/dt
- 5 V/ns Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 178 1.43 50 W 0.4 W/℃ Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG -55～+1
