3DD5011 Datasheet | JILIN SINO-MICROELECTRONICS

FEATURES 123 z3DD5011 是 NPN 双极型 z 3DD5011 is high breakdown 高反压大功率晶体管，制 voltage of NPN bipolar transistor. 等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT 造中采用的主要工艺技 The main process of manufacture: 术有：高压平面工艺技 high voltage planar technology, 术、三重扩散技术等,采 triple diffused process etc., 用塑料全包封结构。环保 adoption of fully plastic packge. （Ro HS）产品。 Ro HS product. 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 无卤素 封装 Marking Halogen Free Package 3DD5011-O-A-N-D D5011 含卤素 TO-3P(H)IS 包装 Packaging 泡沫 Foam 器件重量 Device Weight 5.50 g(typ) 版本：201504A 1/5 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 符号 Parameter Symbol 集电极- 基极直流电压 Collector- Base Voltage BVCBO 集电极- 发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage BVCEO 发射极- 基极直流电压 Emitter- Base Voltage BVEBO 最大集电极电流 Collector Current 直流 DC 脉冲 Pulse IC ICP 最大基极直流电流 Base...