IPB017N10N5 mosfet equivalent, mosfet.
*Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.
*ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)
*Verylowon-resistanceRDS(on)
*N-channel,normal.
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS 100 V
RDS(on),max
1.7
mΩ
ID 273 A
Qoss 213 nC
.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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