FS225R12KE3
FS225R12KE3 is IGBT-Module manufactured by Infineon.
Technische Information/Technical Information
IGBT-Module IGBT-modules
-Econo PACK™+Modulmit Trench/Feldstop IGBT3und High Efficiency Diode -Econo PACK™+withtrench/fieldstop IGBT3and Emitter Controlled High Efficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
Höchstzulässige Werte/Maximum Rated Values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DCcollectorcurrent Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = 25°C TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C t P = 1 ms TC = 25°C, Tvj max = 150 VCES 1200 225 325 450 1150 +/-20 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 5,0 typ. 1,70 2,00 5,8 2,10 3,3 16,0 0,75 0,25 0,30 0,09 0,10 0,55 0,65 0,13 0,16 max. 2,15 6,5 5,0 400 V V V µC Ω n F n F m A n A µs µs µs µs µs µs µs µs m J m J m J m J V A A
IC nom IC ICRM Ptot VGES
A W V
Charakteristische Werte/Characteristic Values
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge Interner Gatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktive Last Turn-ondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktive Last Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktive Last Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktive Last Falltime,inductiveload Einschaltverlustenergiepro Puls Turn-onenergylossperpulse Abschaltverlustener...
