A1964 Datasheet | Inchange Semiconductor

INCHANGE Semiconductor  Product Specification  isc Silicon PNP Power Transistor  2SA1964  DESCRIPTION  - Collector­Emitter Breakdown Voltage­  : V(BR)CEO= ­160V(Min)  - Good Linearity of hFE  - Wide Area of Safe Operation  - plement to Type 2SC5248  APPLICATIONS  - Power amplifier applications.  - Driver stage amplifier applications.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  SYMBOL  PARAMETER  VALUE  UNIT  VCBO  Collector­Base Voltage  ­160  V  VCEO  Collector­Emitter Voltage  ­160  V  VEBO  Emitter­Base Voltage  ­5  V  IC  Collector Current­Continuous  Collector Power Dissipation  @Ta=25℃  ­1.5  A  2 ...