logo

A1002 INCHANGE Silicon PNP Power Transistor

Description ·High Current Capability  ·Collector­Emitter Breakdown Voltage­  : V(BR)CEO= ­120V(Min.)  APPLICATIONS  ·Designed for audio and general purpose applications.  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  SYMBOL  PARAMETER  VALUE  UNIT  VCBO  Collector­Base Voltage  ­120  V  VCEO  Collector­Emitter Voltage  ­120  V  VEBO  Emitter­Base Voltage  ­6  V  IC  Collector Current­Continuous  Collector P...
Features IC= ­1mA; IE= 0  ­120  V  V(BR)EBO  Emitter­Base Breakdown Voltage  IE= ­1mA; IC= 0  ­6  V  VCE(sat)  Collector­Emitter Saturation Voltage  IC= ­8A; IB= ­0.8A  ICBO  Collector Cutoff Current  VCB= ­120V; IE= 0  IEBO  Emitter Cutoff Current  VEB= ­6V; IC= 0  ­3.0  V  ­50  μA  ­50  μA  hFE  DC Current Gain  IC= ­0.5A ; VCE= ­5V  50 ...

Datasheet PDF File A1002 Datasheet - 113.70KB

A1002  






logo
Since 2006. D4U Semicon.   |   Contact Us   |   Privacy Policy   |   Site map