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NPN SILICON TRANSISTOR
H13003D
ST13003D
█
█
。、。
█ (Ta=25℃)
Tstg——………………………………… -55~150℃ Tj——…………………………………………… 150℃ PC——(Tc=25℃)………………………… 40W VCBO———……………………………… 700V VCEO———…………………………… 400V VEBO———………………………………… 9V IC——(DC)…………………………………… 1.5A IC——()…………………………………… 3A IB——………………………………………………0.75A
1― ,B 2―,C 3―,E
█ (Ta=25℃)
BVCBO —
700
V IC=1mA,IE=0
BVCEO —
400
V IC=10mA, IB=0
BVEBO —
9
ICBO —
V IE=1mA,IC=0
10
μA VCB=600V, IB=0
IEBO
—
0.1
mA VEB=9V, IC=0
hFE
14
40
VCE=10V, IC=0.2A
9
VCE=5V, IC=1mA
5
VCE=5V, IC=1A
VCE(sat) —
0.5
V IC=0.5A, IB=0.1A
1
V IC=1A, IB=0.25A
3
V IC=1.5A, IB=0.5A
VBE(sat) —
1.0
V IC=0.5A, IB=0.1A
1.2
V IC=1A, IB=0.25A
VF
2.2
V IF=1A
ton
1
μs
ts
4
μs
tf
0.7
μs
ts
1.