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CS10N60 Datasheet Preview

CS10N60 Datasheet

VDMOS Transistor

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华晶分立器件
CS10N60
CS10N60 VDMOS 晶体管
1. 概述与特点
CS10N60 VDMOS 晶体管,主要用于线性放大、功率开关。其特点如下:
开关速度快
可并联使用
驱动简单
封装形式:TO-220AB
2. 电特性
2.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
10.7max
4.8max
1.4max
φ3.84
参数名称
连续漏极电流
栅源电压
雪崩电流
热阻(结到壳)
耗散功率 Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
符号
ID
VGS
IAR
RθJC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
10
±30
10
0.8
1.5
156
150
-55150
单位
A
V
A
℃/W
W
1.27
1.2max
2.54
2.54
GDS
2.67
0.4max
2.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
符号
测试条件
漏源反向电压
通态电阻
阈值电压
跨导
漏源漏电流
栅源漏电流
关断延迟时间
VDS
rDSON
VGS(TO)
y21S
IDSS
VGSS
td(off)
输入电容
C11SS
a:脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
VGS=0V, ID=250 uA
VGS=10V, ID=6A
VDS= VGS, ID=250uA
VDS= 40V, ID=6A
VDS=600V ,VGS=0V
VGS=±30V
VDD=300V,ID=9.5A
RG=20Ω
VGS=0V, VDS=25V
f=1.0MHz
规范值
最小
最大
600
1.2
35
8
20
±100
300
2040
单位
V
Ω
V
S
μA
nA
ns
pF
1页共2
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华晶双极电路
CS10N60
3. 特性曲线
安全工作区(直流)
ID (A)
Tcase=25
10
RDSON限制
10us
100us
1
0.1
1
1ms
10ms
100ms
DC
10 100 VDS (V)
Ptot (W)
160
120
80
40
0
0
Ptot-T 关系曲线
Ptot-Tcase
Ptot-Tamb
50 100 T()
传输特性
ID(A)
10
150
1
25
250us
Vds=50V
0.1
2 6 8 10
VGS (V)
rDSon
(Ω)
2.5
通态电阻温度
2.0
1.5
1.0
0.0
-60 -40-20 0 20 40 60 80 100 120 140
Tj(℃)
2页共2
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Part Number CS10N60
Description VDMOS Transistor
Maker ETC
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