PPS1040 Datasheet | Diotec Semiconductor

Features Optimized trade-off between VF and IR patible to industry standard packages Maximum ratings and Characteristics Type Typ Repetitive / Surge peak reverse voltage Periodische- / Spitzen-Sperrspannung VRRM [V] / VRSM [V] 30 40 45 Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR Kompatibel zu industrieüblichen Gehäusen Grenz- und Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 125°C IF = 5 A typ. 0.31 typ. 0.31 typ. 0.31 TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A < 0.44 < 0.44 < 0.44 IFAV IFRM IFSM i2t Tj Tj TS IF = 10 A < 0.49 < 0.49 < 0.49 10 A 2) 50 A 2) 250/275 A 2) 310 A2s 2) -50...+150°C ≤ 200 °C 3) -50...+150°C PPS1030 PPS1040 PPS1045 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature - Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode - bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 3 Tj = 25°C Both anode pins connected - Beide Anodenanschlüsse kontaktiert For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes” http://.diotec./ © Diotec Semiconductor AG 1 http://.. PPS1020 ... PPS1045 Characteristics Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse Typical Junction Capacitance Typische Sperrschichtskapazität VR = 4V Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR Rth C CJ Kennwerte < 300 µA typ. 10 m A < 2.0 K/W 800 p F 120 [% ] 100 80 DC forward [A] 10 Tj = 125°C Tj = 25°C 60 40 10-1 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] IF 10 -2 [V] 1.0 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d....