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CENGOL

CGC1S06510 Datasheet Preview

CGC1S06510 Datasheet

SiC Schottky diode

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北京世纪金光半导体有限公司 产品规格书 CGC1S06510
SiC 肖特基二极管
特点
零反向恢复电流
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关特性
优点
基本无开关损耗
对散热器要求降低
效率更高
并联器件不会导致热失控
应用
开关电源
功率因数校正
电机驱动器
VRRM
IF,Tc=150
Qc
650V
10 A
29nC
额定值
参数
反向重复峰值电压
反向浪涌峰值电压
直流反向峰值电压
持续直流电流
正向重复峰值浪涌电流
正向不重复浪涌峰值电流
功率耗散
工作结温范围
储存温度范围
符号
VRRM
VRSM
VDC
IF
IFRM
IFSM
Ptot
Tj
Tstg
650
650
650
10
51
67
133.9
-55 +175
-55 +175
单位
V
V
V
A
A
A
W
测试条件
Tc=150
Tc=25,tp=10ms,Half Sine Pulse
D=0.1
Tc=25,tp=10ms,Half Sine Pulse
Tc=25
热特性
参数
结到壳热阻
符号
RthJC
最小值 典型值 最大值 单位
1.12 /W
测试条件
地址:北京市经济技术开发区排干渠西路 17
电话:010-56993369
邮箱:sales@cengol.com
2018.01-Rev.A




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CGC1S06510 Datasheet

SiC Schottky diode

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北京世纪金光半导体有限公司 产品规格书 CGC1S06510
电特性
参数
正向电压
反向电流
总电容电荷
总电容
符号
VF
IR
Qc
C
典型值
1.48
1.82
1.2
45.0
29
516
57
56
最大值
1.7
2.5
50
200
单位
V
uA
nC
pF
测试条件
IF=10ATj=25
IF=10ATj=175
VR=650VTj=25
VR=650VTj=175
VR=400VTj=150
VR
Qc 0 C(V )dV
VR=0VTj=25,f=1MHz
VR=200VTj=25,f=1MHz
VR=400VTj=25,f=1MHz
典型特性
1. 正向特征
2. 反向特征
地址:北京市经济技术开发区排干渠西路 17
电话:010-56993369
邮箱:sales@cengol.com
2018.01-Rev.A


Part Number CGC1S06510
Description SiC Schottky diode
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1 CGC1S06510 SiC Schottky diode
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