http://www.www.datasheet4u.com

900,000+ Datasheet PDF Search and Download

Datasheet4U offers most rated semiconductors datasheets pdf




Diotec Semiconductor
Diotec Semiconductor


F1200D

Fast Silicon Rectifiers



No Preview Available !

F1200D pdf
Fast Silicon Rectifiers
Version 2004-04-06
Ø 8 ±0.1
Type
Ø 1.2 ±0.05
Dimensions / Maße in mm
F1200A, F1200D
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50V, 200 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P-600 Style
Weight approx. – Gewicht ca.
1.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
F1200A
F1200D
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
200
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
IFAV 12 A 1)
IFRM 80 A 1)
IFSM 375 A
IFSM 390 A
i2t 680 A2s
Tj – 50…+150°C
TS – 50…+175°C
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1



No Preview Available !

F1200D pdf
F1200A, F1200D
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung Tj = 25°C IF = 5 A
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
VF
IR
trr
RthA
Kennwerte
< 0.82 V
< 25 µA
< 200 ns
< 10 K/W 1)
Pulse thermal resistance versus pulse duration 1)
Impulswärmewiderstand in Abh. v.d. Impulsdauer 1)
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2



Part Number F1200D
Description Fast Silicon Rectifiers
Maker Diotec Semiconductor - Diotec Semiconductor
Total Page 2 Pages
PDF Download
F1200D pdf
Download PDF File
F1200D pdf
View for Mobile




Featured Datasheets

Part Number Description Manufacturers PDF
F1200A Fast Silicon Rectifiers F1200A
Diotec Semiconductor
PDF
F1200A High efficiency fast silicion rectifier diode F1200A
Semikron
PDF
F1200A FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES F1200A
EIC
PDF
F1200B High efficiency fast silicion rectifier diode F1200B
Semikron
PDF
F1200D Fast Silicon Rectifiers F1200D
Diotec Semiconductor
PDF
F1200D High efficiency fast silicion rectifier diode F1200D
Semikron
PDF


Part Number Start With

0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z

site map

webmaste! click here

contact us

Buy Components