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SHINDENGEN
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F11F60CPM

Power MOSFET



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F11F60CPM pdf
F11F60CPM
PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
PackageFTO-220A3pin
600V11A
特長
低オン抵抗
絶縁タイプ
Feature
LowRON
IsolatedPackage
0000
11F60CPM
Unit:mm
外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings指定のない場合 Tc=25℃/Unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値
Ratings
単位
Unit
保存温度
StorageTemperature
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ゲート・ソース間電圧
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流(直流)
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流(ピーク)
ContinuousDrainCurrent(Peak)
ソース電流(直流)
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
TotalPowerDissipation
絶縁耐圧
DielectricStrength
締め付けトルク
MountingTorque
Tstg
Tch
VDSS
VGSS
ID
IDP
IS
パルス幅 10μs,duty=1/100
Pulsemeasurement,10µs,duty=1/100
PT
Vdis
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminalstocase,AC1minute
TOR
(推奨値:0.3N・m)
(Recommendedtorque:0.3Nm)
-55~150
150
600
±30
11
33
11
50
2
0.5
V
A
W
kV
N・m
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics指定のない場合 Tc= 25℃/Unlessotherwisespecified)
項目
Item
記号
Symbol
条件
Conditions
規格値 Ratings 単位
MIN TYP MAX Unit
ドレイン・ソース間降伏電圧
Drain-SourceBreakdownVoltage
V(BR)DSS ID=1mA,VGS=0V
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent
IDSS VDS=600V,VGS=0V
ゲート漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent
IGSS VGS= ±30V,VDS=0V
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance
gfs ID=5.5A,VDS=10V
ドレイン・ソース間オン抵抗
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
R(DS)ON
ID= 5.5A,VGS=10V
ゲートしきい値電圧
GateThressholdVoltage
VTH ID=1mA,VDS=10V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
VSD
IS=5.5A,VGS=0V
熱抵抗
ThermalResistance
θjc
接合部・ケース間
Junctiontocase
ゲート全電荷量
TotalGateCharge
Qg VGS=10V,ID=11A,VDD=400V
入力容量
InputCapacitance
Ciss
帰還容量
ReverseTransferCapacitance
Crss VDS= 100V,VGS=0V,f=1MHz
出力容量
OutputCapacitance
Coss
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
td(on)
上昇時間
Risetime
tr ID=5.5A,VDD=150V,RL=27.3Ω
ターンオフ遅延時間
Turn-offdelaytime
td(off) VGS(+)= 10V,VGS(-)= 0V
下降時間
Falltime
tf
600
4.5
2.5
──
V
─ 10
μA
─ ±0.1
9─
S
0.27 0.3 Ω
3.0 3.5
─ 1.5
V
─ 2.5 ℃/W
22 ─ nC
1100 ─
2.5 ─ pF
60 ─
20 ─
25 ─
80 ─
ns
25 ─
MOS-p2010.07〉)(2014.04
www.shindengen.co.jp/product/semi/



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■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
F11F60CPM
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case emperature Safe Operating Area
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Gate Charge Characteristics
* Sinewaveは 50Hzで測定しています。
50Hzsinewaveisusedformeasurements.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
MOS-p2010.07〉()2014.04



Part Number F11F60CPM
Description Power MOSFET
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