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D13005

NPN Silicon Bipolar Transistor



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D13005 pdf
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广东省粤晶高科股份有限公司
NPN 硅双极晶体管
■■ 主要用途:用于电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路。
D13005
C
■■ 绝对最大额定值(Ta=25℃)
参数名称
符 号 额定值
单位
B
E
集电极-基极电压
VCBO
集电极-发射极电压
VCEO
发射极-基极电压
VEBO
集电极电流
IC
基极电流
IB
集电极
耗散功率
Tc=25℃)
(Ta=25℃)
PD
结  温
Tj
储存温度
Tstg
700
400
9
4
2
70
2
150
-55-150
V
V
V
A
A
W
BCE
■■电参数(Ta=25℃)
参数名称
共发射极直流电流增益
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
特征频率
导通时间
存贮时间
下降时间
符号
测试条件
HFE(1) Vce=5 V,Ic=1.0A
BVcbo Ic=1 mA ,Ie=0
BVceo Ic=10 mA ,Ib=0
BVebo Ie=1 mA ,Ic=0
Icbo Vcb=700 V ,Ie=0
Iebo Veb=9 V ,Ic=0
Vce(sat) Ic=2A ,Ib=0.5A
Vbe(sat) Ic=2A ,Ib=0.5A
fT Vce=10V, Ic=500mA, f=1.0MHz
ton
Vce=10V, Ic=2A,
ts IB1=IB2=400mA
tf
规范值
单位
最小 典型 最大
10 40 β
700 V
400 V
9V
1 mA
1 mA
0.6 0.6 V
1.2 1.6 V
4 MHz
0.8 uS
4.0 uS
0.9 uS
■■ HFE(1)分档及其标识
打印标识
D13005A
D13005B
D13005C
分  档
A BC
HFE(1)
10-25
20-35
30-40
QR027



Part Number D13005
Description NPN Silicon Bipolar Transistor
Maker ETC - ETC
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