Flow PIM 1

V23990-P483-A flow PIM 1, 600V ® version 0303 Condition Symbol Datasheet values max. Unit Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte Parameter Input Rectifier Bridge Gleichrichter Repetitive peak reverse voltage Periodische Rückw. Spitzensperrspannung Forward current per diode Dauergrenzstrom Surge forward current Stoßstrom Grenzwert 2 www.DataSheet4U.com I t-value Grenzlastintegral Power dissipation per Diode Verlustleistung pro Diode Transistor Inverter Transistor Wechselrichter Collector-emitter break down voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung DC collector current Kollektor-Dauergleichstrom Repetitive peak collector current Periodischer Kollektorspitzenstrom Power dissipation per IGBT Verlustleistung pro IGBT Gate-emitter peak voltage Gate-Emitter-Spitzenspannung SC withstand time Kurzschlußverhalten Diode Inverter Diode Wechselrichter DC forward current Dauergleichstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Power dissipation per Diode Verlustleistung pro Diode Transistor BRC Transistor BRC Collector-emitter break down voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung DC collector current Kollektor-Dauergleichstrom Repetitive peak collector current Periodischer Kollektorspitzenstrom Power dissipation per IGBT Verlustleistung pro IGBT Gate-emitter peak voltage Gate-Emitter-Spitzenspannung SC withstand time Kurzschlußverhalten VRRM DC current tp=10ms tp=10ms Tj=150°C Th=80°C Tc=80°C Tj=25°C Tj=25°C Th=80°C Tc=80°C IFAV 40, limited by nr. wires IFSM 2 It 1600 28,9 200 V A A 2 200 A s Ptot 35 53 W VCE Tj=150°C tp=1ms Tj=150°C Th=80°C Tc=80°C Th=80°C Th=80°C Tc=80°C VGE Tj≤150°C VCE=600 V VGE=15V tSC IC Icpuls Ptot 600 12,6 16, limited by nr. of wires 25,2 31,8 48,2 ±20 10 V A A W V us Tj=150°C tp=1ms Tj=150°C Th=80°C Tc=80°C Th=80°C Th=80°C Tc=80°C IF IFRM Ptot 14,8 16, limited by nr. of wires 29,5 25,8 39,1 A A W VCE Tj=150°C tp=1ms Tj=150°C Th=80°C Tc=80°C Th=80°C Th=80°C Tc=80°C VGE Tj≤150°C VGE=15V VCE=600 V tSC IC Icpuls Ptot 8, limited by nr. of wires 8, limited by nr. of wires 600 V A 19,3 28,4 43,1 ±20 10 A W V us copyright by Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D81359 München power.switches@tycoelectronics.com V23990-P483-A flow PIM 1, 600V ® version 0303 Condition Symbol Datasheet values max. Unit Maximum Ratings / Höchstzulässige Werte Parameter Diode BRC Diode BRC DC forward current Dauergleichstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Power dissipation per Diode Verlustleistung pro Diode www.DataSheet4U.com Thermal properties Thermische Eigenschaften max. Chip temperature max. Chiptemperatur Storage temperature Lagertemperatur Operation temperature Betriebstemperatur Insulation properties Modulisolation Insulation voltage Isolationsspannung Creepage distance Kriechstrecke Clearance Luftstrecke Tj=150°C tp=1ms Tj=150°C Th=80°C Tc=80°C Th=80°C Th=80°C Tc=80°C IF IFRM Ptot 8, limited by nr. of wires 8, limited by nr. of wires 30 25,8 39,1 A A W Tjmax Tstg Top 150 -40…+125 -40….+125 °C °C °C t=1min Vis 4000 min 12,7 min 12,7 Vdc mm mm copyright by Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D81359 München power.switches@tycoelectronics.com V23990-P483-A flow PIM 1, 600V ® version 0303 Symbol Conditions T(C°) Other conditions (Rgon-Rgoff) VR(V) IC(A) VGE(V) VCE(V) IF(A) VGS(V) VDS(V) Id(A) Datasheet values Unit Characteristic values Description Min Typ Max Input Rectifier Bridge Gleichrichter Forward voltage Durchlaßpannung Threshold voltage (for power loss calc. only) Schleusenspannung Slope resistance (for power loss calc. only) Ersatzwiderstand Reverse current www.DataSheet4U.com Sperrstrom Thermal resistance chip to heatsink per chip Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip Thermal resistance chip to case per chip Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip Transistor Inverter, inductive load Transistor Wechselrichter Gate emitter threshold voltage Gate-Schwellenspannung Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Collector-emitter cut-off incl.FRED Kollektor-Emitter Reststrom inkl.FRED Gate-emitter leakage current Gate-Emitter Reststrom Turn-on delay time Einschaltverzögerungszeit Rise time Anstiegszeit Turn-off delay time Abschaltverzögerungszeit Fall time Fallzeit Turn-on energy loss per pulse Einschaltverlustenergie pro Puls Turn-off energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls Input capacitance Eingangskapazität Output capacitance Ausgangskapazität Reverse transfer capacitance Rückwirkungskapazität Gate charge Gate Ladung Thermal resistance chip to heatsink per chip Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip Thermal resistance chip to case per chip Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip VF Vto rt Ir Tj=25°C Tj=25°C Tj=25°C Tj=25°C Thermal grease thickness≤50um Warmeleitpaste Dicke≤50um λ = 0,61 W/mK 1200 30 30 30 0,8 1,24 1,23 0,92 10 1,4 V V mOhm 0,01 mA RthJH RthJC 2 K/W 1,3 K/W VGE(th) VCE(sat) ICES IGES td(on) tr td(off) tf Eon Eoff Cies Coss Crss QGate Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C VCE=VGE 15 0 25 15 Rgon=34,5 Ohm 15 Rgon=34,5 Ohm 15 Rgoff=17,25 Ohm 15 Rgoff=17,25 Ohm 15 Rgon=34,5 Ohm 15 Rgoff=17,25 Ohm f=1MHz f=1MHz f=1MHz 0 0 0 15 Thermal grease thickness≤50um Warmeleitpaste Dicke≤50um λ = 0,61 W/mK 300 25 25 25 300 300 300 300 300 600 0 300 0,0004 10 4,5 1,6 5,5 1,90 2,13 6,5 2,65 0,25 180 V V mA nA ns 10 17 10 17 10 128 10 57 10 0,265 10 0,3 0,45 ns ns ns mWs mWs nF nF 0,04 39 nF nC RthJH RthJC 2,2 K/W 1,45 K/W copyright by Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D81359 München power.switches@tycoelectronics.com V23990-P483-A flow PIM 1, 600V ® version 0303 Symbol Conditions T(C°) Other conditions (Rgon-Rgoff) VR(V) IC(A) VGE(V) VCE(V) IF(A) VGS(V) VDS(V) Id(A) Datasheet values Unit Characteristic values Description Min Typ Max Diode Inverter Diode Wechselrichter Diode forward voltage Durchlaßspannung Peak reverse recovery current Rückstromspitze Reverse recovery time Sperreverzögerungszeit Reverse recovered charge www.DataSheet4U.com Sperrverzögerungsladung Reverse recovered energy Sperrverzögerungsenergie Thermal resistance chip to heatsink per chip Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip Thermal resistance chip to case per chip Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip Transistor BRC Transistor BRC Gate emitter threshold voltage Gate-Schwellenspannung Collector-emitter saturation voltage Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Collector-emitter cut-off Kollektor-Emitter Reststrom Gate-emitter leakage current Gate-Emitter Reststrom Turn-on delay time Einschaltverzögerungszeit Rise time Anstiegszeit Turn-off delay time Abschaltverzögerungszeit Fall time Fallzeit Turn-on energy loss per pulse Einschaltverlustenergie pro Puls Turn-off energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls Input capacitance Eingangskapazität Output capacitance Ausgangskapazität Reverse transfer capacitance Rückwirkungskapazität Gate charge Gate Ladung Thermal resistance chip to heatsink per chip Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip Thermal resistance chip to case per chip Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip VF IRRM trr Qrr Erec Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C 10 15 Rgon=34,5 Ohm 15 Rgon=34,5 Ohm 15 Rgon=34,5 Ohm 15 Rgon=34,5 Ohm Thermal grease thickness≤50um Warmeleitpaste Dicke≤50um λ = 0,61 W/mK 300 10 300 10 300 10 300 10 1 1,50 1,45 10,5 1,9 V A ns 210 uC 0,88 mWs 0,17 2,7 K/W RthJH RthJC 1,8 K/W VGE(th) VCE(sat) ICES IGES td(on) tr td(off) tf Eon Eoff Ciss Coss Crss QGate Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C VCE=VGE 15 0 25 15 Rgon=51 Ohm 15 Rgon=51 Ohm 15 Rgoff=25,5 Ohm 15 Rgoff=25,5 Ohm 15 Rgon=51 Ohm 15 Rgoff=25,5 Ohm f=1MHz f=1MHz f=1MHz 0 0 0 15 Thermal grease thickness≤50um Warmeleitpaste Dicke≤50um λ = 0,61 W/mK 300 25 25 25 480 300 300 300 300 600 0 300 0,0002 8 3 1,6 4 2,3 2,6 5 2,55 0,03 180 V V mA nA ns 8 12 8 12 8 130 8 18 8 0,191 8 0,131 0,35 0,038 0,023 6 32 0,42 0,046 0,028 42 ns ns ns uWs uWs nF nF nF nC RthJH RthJC 2,2 K/W 1,45 K/W copyright by Tyco Electronics Rupert-Mayer-Str. 44, D81359 München power.switches@tycoelectronics.com V23990-P483-A flow PIM 1, 600V ® version 0303 Symbol Conditions T(C°) Other conditions (Rgon-Rgoff) VR(V) IC(A) VGE(V) VCE(V) IF(A) VGS(V) VDS(V) Id(A) Datasheet values Unit Characteristic values Description Min Typ Max Diode BRC Diode BRC Diode forward voltage Durchlaßspannung Reverse current Sperrstrom Peak reverse recovery current Rückstromspitze Reverse recovery time Sperreverzögerungszeit www.DataSheet4U.com Reverse recovered charge Sperrverzögerungsladung Reverse recovered energy Sperrverzögerungsenergie Thermal resistance chip to heatsink per chip Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip Thermal resistance chip to case per chip Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip NTC-Thermistor NTC-Widerstand Rated resistance Nennwiderstand Deviation of R100 Abweichung von R100 Power dissipation given Epcos-Typ Verlustleistung Epcos-Typ angeben B-value B-Wert VF Ir IRRM trr Qrr Erec Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C Tj=25°C Tj=125°C 15 Rgon=51 Ohm 15 Rgon=51 Ohm 15 Rgon=51 Ohm 15 Rgon=51 Ohm Thermal grease thickness≤50um Warmeleitpaste Dicke≤50um λ = 0,61 W/mK 8 600 300 300 300 300 8 0,7 1,37 1,28 1,5 0,25 V uA A 12,6 8 59 8 0,37 8 0,057 2,7 K/W mWs uC n